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IXTQ22N50P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTQ22N50P
廠商型號(hào)

IXTQ22N50P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件大小

200.68 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

IXTQ22N50P規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTQ22N50P

  • 功能描述:

    MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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