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IXTR210P10T

P-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

ET210P10-Z

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

IXTK210P10T

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTN210P10T

P-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-210A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=-10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DCChoppers ·AutomaticTestEquipment ·BatteryChargerApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTN210P10T

P-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifierminiBLOC

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXTX210P10T

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXTR210P10T

  • 功能描述:

    MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTR210P10T供應商 更新時間2025-1-21 14:14:00