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IXTT1N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXTT1N100
廠商型號(hào)

IXTT1N100

功能描述

High Voltage MOSFET

文件大小

87.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 9:21:00

IXTT1N100規(guī)格書(shū)詳情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Features

● International standard packages

● High voltage, Low RDS(on) HDMOS? process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Fast switching times

Applications

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

● Flyback inverters

● DC choppers

● High frequency matching

Advantages

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTT1N100

  • 功能描述:

    MOSFET 1 Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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