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IXTU01N80

High Voltage MOSFET

HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Fastswitchingtimes Applications ?Levelshifting ?Triggers ?Solidstaterelays ?Currentre

IXYS

IXYS Corporation

CJD01N80

Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJU01N80

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJU01N80

Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

IXTY01N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTY01N80

HighVoltageMOSFET

HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Fastswitchingtimes Applications ?Levelshifting ?Triggers ?Solidstaterelays ?Currentre

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTU01N80

  • 功能描述：

    MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS
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更多IXTU01N80供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 14:14:00

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