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IXTY1N120P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXTY1N120P
廠商型號(hào)

IXTY1N120P
參數(shù)屬性

IXTY1N120P 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

315.25 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

IXTY1N120P規(guī)格書(shū)詳情

IXTY1N120P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXTY1N120P晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXTY1N120P

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    Polar

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    1A（Tc）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 描述：

    MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Littelfuse/IXYS
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2022+
TO-252
30000
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 詢價(jià)

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