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IXTY1R4N120P中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTY1R4N120P
廠商型號

IXTY1R4N120P
功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小

318.75 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 23:00:00

IXTY1R4N120P規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 1.4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 1200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 13Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXTY1R4N120P

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Littelfuse/IXYS
23+
TO252AA
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價
IXYS
24+
TO-252
2159
詢價
IXYS
24+
TO-252AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/LITTELFUSE
2023
TO-252
7528
原廠代理渠道,正品保障
 詢價
IXYS
2022+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS/艾賽斯
2022+
TO-252
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
IXYS/艾賽斯
20+
TO-252
32500
現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
 詢價
IXYS/艾賽斯
2021+
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
24+
TO-252
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價

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