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首頁(yè)>IXXH30N60B3D1>芯片詳情
IXXH30N60B3D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IXXH30N60B3D1品牌:IXYS/艾賽斯
原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
IXXH30N60B3D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的IXXH30N60B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXXH30N60B3D1
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 系列:
GenX3?, XPT?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.85V @ 15V,24A
- 開關(guān)能量:
550μJ(開),500μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
23ns/97ns
- 測(cè)試條件:
400V,24A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247(IXXH)
- 描述:
IGBT 600V 60A 270W TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
13714879722
- 詢價(jià):
- 電話:
13714879722/0755-82725103
- 傳真:
0755-82701983
- 地址:
深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室
相近型號(hào)
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