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IXXH40N65B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXXH40N65B4
廠商型號

IXXH40N65B4

參數(shù)屬性

IXXH40N65B4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 120A 455W TO247AD

功能描述

Preliminary Technical Information
IGBT 650V 120A 455W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

225.61 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 23:00:00

IXXH40N65B4規(guī)格書詳情

IXXH40N65B4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXXH40N65B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXXH40N65B4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX4?, XPT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1.4mJ(開),560μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    28ns/144ns

  • 測試條件:

    400V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 455W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Littelfuse/IXYS
23+
TO247
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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