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IXXH80N65B4H1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IXXH80N65B4H1 |
參數(shù)屬性 | IXXH80N65B4H1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 160A 625W TO247AD |
功能描述 | XPTTM 650V IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
217.05 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網 |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-24 20:00:00 |
IXXH80N65B4H1規(guī)格書詳情
IXXH80N65B4H1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXXH80N65B4H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
IXXH80N65B4H1
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
GenX4?, XPT?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,80A
- 開關能量:
3.77mJ(開),1.2mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
38ns/120ns
- 測試條件:
400V,80A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247(IXXH)
- 描述:
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA/ |
236 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO247AD |
6000 |
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IXYS(艾賽斯) |
23+ |
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IXYS/艾賽斯 |
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IXYS |
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IXYS |
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TO-247AD |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO247AD |
10000 |
公司只做原裝正品 |
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IXYS |
18+ |
NA |
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IXYS/艾賽斯 |
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