IXXK100N60B3H1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號(hào):IXXK100N60B3H1品牌:IXYS/艾賽斯

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IXXK100N60B3H1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝SMD/TO-264-3,TO-264AA 變異型的IXXK100N60B3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    IXXK100N60B3H1

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    240.43 kb

  • 資料說明:

    Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXXK100N60B3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,70A

  • 開關(guān)能量:

    1.9mJ(開),2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    30ns/120ns

  • 測(cè)試條件:

    360V,70A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA 變異型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264(IXXK)

  • 描述:

    IGBT 600V 200A 695W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    艾睿國際(香港)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    蔡小姐

  • 手機(jī):

    15813737183

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    15813737183

  • 地址:

    香港上環(huán)永樂街121-125號(hào)永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室