首頁>IXXX200N65B4>規(guī)格書詳情

IXXX200N65B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXXX200N65B4
廠商型號

IXXX200N65B4

參數(shù)屬性

IXXX200N65B4 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 370A 1150W PLUS247

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

348.35 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 15:00:00

IXXX200N65B4規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· High Current Handling Capability

· Optimized for Low Switching Losses

· Low Gate Drive Requirement

APPLICATIONS

· UPS

· SMPS

· Motor Drives

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXXX200N65B4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX4?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,160A

  • 開關(guān)能量:

    4.4mJ(開),2.2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    62ns/245ns

  • 測試條件:

    400V,100A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 650V 370A 1150W PLUS247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
IR
23+
SOP8
7000
詢價
IXYS/LITTELFUSE
2023
TO-263
2900
原廠代理渠道,正品保障
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
詢價
Sector Microwave Industies
24+
模塊
400
詢價
IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
24+
N/A
62000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價