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IXYB82N120C3H1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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  • 廠家型號(hào)：

    IXYB82N120C3H1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS(艾賽斯)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7500

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-12 18:39:00

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原廠料號(hào)：IXYB82N120C3H1品牌：IXYS(艾賽斯)

IXYS(艾賽斯)全系列在售

IXYB82N120C3H1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS(艾賽斯)/IXYS生產(chǎn)封裝N/A/TO-264-3，TO-264AA的IXYB82N120C3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXYB82N120C3H1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    222.15 kb

  • 資料說(shuō)明：

    1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXYB82N120C3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，82A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    4.95mJ（開(kāi)），2.78mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    29ns/192ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，80A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS264?

  • 描述：

    IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    17375148621

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82713279

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

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