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IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION ·HighCurrentHandlingCapability ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·OptimizedforLowSwitchingLosses APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXYH50N120C3D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 90A 625W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXYR50N120C3D1

1200VXPTTMIGBTGenX3TMw/Diode

High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?2500V~ElectricalIsolation ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) ?Anti-ParallelUltraFast

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXYH50N120C3D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    3mJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    28ns/133ns

  • 測試條件：

    600V，50A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247（IXTH）

  • 描述：

    IGBT 1200V 90A 625W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
928
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IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
23+
TO-247
10000
全新、原裝
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IXYS
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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TO247 (IXYH)
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IXYS
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TO247 (IXYH)
13880
公司只售原裝,支持實單
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更多IXYH50N120C3D1供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 17:20:00

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