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IXYJ20N120C3D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXYJ20N120C3D1參考圖片

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原廠料號(hào)：IXYJ20N120C3D1品牌：IXYS/艾賽斯

只做原裝,質(zhì)量保證

IXYJ20N120C3D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的IXYJ20N120C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXYJ20N120C3D1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    224.45 kb

  • 資料說(shuō)明：

    1200V XPTTM IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXYJ20N120C3D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.4V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.3mJ（開(kāi)），500μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    20ns/90ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISO247

  • 描述：

    IGBT 1200V 21A 105W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18928498787

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-22318162/0755-22207335

  • 傳真：

    0755-22318162

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)101棟610A室

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