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IXYN75N65C3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IXYN75N65C3D1 |
| 參數(shù)屬性 | IXYN75N65C3D1 封裝/外殼為SOT-227-4，miniBLOC；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT |
| 功能描述 | International Standard Package |
| 封裝外殼 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 文件大小 |
228.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-8 11:06:00 |
IXYN75N65C3D1規(guī)格書詳情
IXYN75N65C3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYN75N65C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXYN75N65C3D1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
XPT?, GenX3?
- 包裝：
托盤
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，60A
- 開關(guān)能量：
2mJ（開），950μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
26ns/93ns
- 測(cè)試條件：
400V，60A，3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-227B
- 描述：
IGBT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
46000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
SOT-227 |
98000 |
詢價(jià) | ||||
IXYS |
23+ |
IGBTXPT1200V105ASOT-227B |
1706 |
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
SOT227B |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
21+ |
SOT227B |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
SOT-227B |
600 |
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
20 |
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詢價(jià) |
