IXYP20N120B4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào):IXYP20N120B4品牌:IXYS

資料說(shuō)明:IGBT DISCRETE TO-220

IXYP20N120B4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-220-3的IXYP20N120B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ixyp20n120b4

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT DISCRETE TO-220

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYP20N120B4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?, GenX4?

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,20A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    3.9mJ(開(kāi)),1.6mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    15ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220(IXYP)

  • 描述:

    IGBT DISCRETE TO-220

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