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IXZR16N60分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
IXZR16N60規(guī)格書詳情
VDSS = 600 V
ID25 = 18 A
RDS(on) ≤ 0.56 ?
PDC = 350
Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process
Optimized for RF Operation
Ideal for Class C, D, & E Applications
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced Z-MOS process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? High Performance RF Z-MOS?
? Optimized for RF and high speed
? Common Source RF Package
A = Gate Source Drain
B = Drain Source Gate
? Isolated Package, no insulator required
產品屬性
- 產品編號:
IXZR16N60
- 制造商:
IXYS-RF
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
Z-MOS?
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
N 通道
- 頻率:
65MHz
- 增益:
23dB
- 額定電流(安培):
18A
- 功率 - 輸出:
350W
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
PLUS247?-3
- 描述:
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
InvenSenseIDG-2021S |
22+23+ |
QFN |
32731 |
絕對原裝正品全新進口深圳現貨 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
原廠原封 |
支持樣品 原裝現貨 提供技術支持! |
詢價 | |||
ST |
24+ |
NO |
144 |
詢價 | |||
IXYS-RF |
2022+ |
PLUS247?-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IPD |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
InvenSens |
ROHS+Original |
NA |
10000 |
專業(yè)電子元器件供應鏈/QQ 350053121 /正納電子 |
詢價 | ||
24+ |
CAN |
6430 |
原裝現貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
CAN4 |
38 |
原裝現貨假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
PLUS247?3 |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 |