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J649中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

J649
廠商型號

J649

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

78.83 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 11:10:00

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J649規(guī)格書詳情

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ649 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

? Low on-state resistance:

RDS(on)1= 48 m?MAX. (VGS= –10 V, ID= –10 A)

RDS(on)2= 75 m?MAX. (VGS= –4.0 V, ID= –10 A)

? Low input capacitance:

Ciss= 1900 pF TYP. (VDS= –10 V, VGS= 0 V)

? Built-in gate protection diode

產品屬性

  • 型號:

    J649

  • 制造商:

    General Electric Company

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TDK/東電化
23+
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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JAEEUN
25+
LFROHS
880000
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NEC
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22+
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