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JAN1N1186R分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

JAN1N1186R
廠商型號

JAN1N1186R

參數(shù)屬性

JAN1N1186R 封裝/外殼為DO-203AB,DO-5,接線柱;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

功能描述

Military Silicon Power Rectifier

封裝外殼

DO-203AB,DO-5,接線柱

文件大小

113.39 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-19 20:01:00

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JAN1N1186R規(guī)格書詳情

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/297

? Glass Passivated Die

? Glass to Metal Seal Construction

? 500 Amps Surge Rating

? VRRM to 1000 Volts

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JAN1N1186R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管類型:

    標準型,反極性

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    底座,接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    DO-203AB,DO-5,接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DO-5

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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