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JAN2N3440分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N3440
廠商型號(hào)

JAN2N3440

參數(shù)屬性

JAN2N3440 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 250V 1A TO39

功能描述

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

312.36 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 15:08:00

JAN2N3440規(guī)格書詳情

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/368

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    JAN2N3440

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/368

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 1A TO39

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
MICROSEMI
638
原裝正品
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MSC
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