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2N5196

N-ChannelDualSiliconJunctionField-EffectTransistor

?DifferencialInputs AbsolutemaximumratingsatTA=25°C ReverseGateSource&GateDrainVoltage-50V ContinuousForwardGateCurrent50mA ContinuousDevicePowerDissipation300mW PowerDerating

InterFET

InterFET Corporation

2N5196

MONOLITHICDUALN-CHANNELJFETS

monolithicdualn-channelJFETsdesignedfor..... ■DifferentialAmplifiers ■FETInputOpAmps BENEFITS ●MinimumSystemErrorandCalibration5mVMaximumOffset(2N196,97) ●LowDrift5μV/°CMaximum(2N5196) ●SimplifiesAmplifierDesignLowOutputConductance

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5196

P-CHANNELJFET

GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES

Intersil

Intersil Corporation

2N5196

MonolithicN-ChannelJFETDuals

DESCRIPTION The2N5196/5197/5198/5199JFETdualsaredesignedforhigh-performancedifferentialamplificationforawiderangeofprecisiontestinstrumentationapplications.Thisseriesfeaturestightlymatchedspecs,lowgateleakageforaccuracy,andwidedynamicrangewithIGguaranteedatVD

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多JAN2N5196供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 15:30:00

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