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JAN2N6350分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N6350
廠商型號(hào)

JAN2N6350

參數(shù)屬性

JAN2N6350 封裝/外殼為TO-205AC,TO-33-4 金屬罐;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

功能描述

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AC,TO-33-4 金屬罐

文件大小

55.76 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 8:24:00

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JAN2N6350規(guī)格書詳情

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/472

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    JAN2N6350

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/472

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 5mA,5A

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 5A,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AC,TO-33-4 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-33

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Microsemi Corporation
2022+
TO-33
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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