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JAN2N7370分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N7370
廠商型號(hào)

JAN2N7370
參數(shù)屬性

JAN2N7370 封裝/外殼為TO-254-3，TO-254AA（直引線）；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA
功能描述

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
封裝外殼

TO-254-3，TO-254AA（直引線）
文件大小

62.56 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 8:24:00
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JAN2N7370規(guī)格書詳情

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/624

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    JAN2N7370

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/624

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 120mA，12A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 6A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-254-3，TO-254AA（直引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-254AA

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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