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JANSR2N7666U2A

Radiation Hardened Power MOSFET Surface-Mount (SupIR-SMD?) -200V, -62A, P-channel, R9 Superjunction Technology

Features ?Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90.5MeV·cm2/mg) ?LowRDS(on) ?ImprovedSOAforlinearmodeoperation ?Fastswitching ?Lowtotalgatecharge ?Simpledriverequirements ?Hermeticallysealed ?Electricallyisolated ?Lightweight ESDrating:Class3Bper

IRF

International Rectifier

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ST
17
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STMicroelectronics
2022+
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更多JANSR2N7666U2A供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 14:00:00

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