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JANTX1N4103DUR-1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-齊納-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
JANTX1N4103DUR-1 |
| 參數(shù)屬性 | JANTX1N4103DUR-1 封裝/外殼為DO-213AA（玻璃）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-齊納-單；產(chǎn)品描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA |
| 功能描述 | SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
| 封裝外殼 | DO-213AA（玻璃） |
| 文件大小 |
109.42 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-1 10:18:00 |
JANTX1N4103DUR-1規(guī)格書詳情
? 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435
? LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
? LOW CURRENT OPERATION AT 250 μA
? METALLURGICALLY BONDED
MAXIMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C
Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C
Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
JANTX1N4103DUR-1
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/435
- 包裝：
卷帶（TR）
- 容差：
±1%
- 工作溫度：
-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
DO-213AA（玻璃）
- 供應(yīng)商器件封裝：
DO-213AA
- 描述：
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
589220 |
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詢價(jià) | ||||
Microsemi |
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NA |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
14+ |
DO35 |
703 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
MICROSEMI |
22+23+ |
DO35 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
MICROSEMI |
23+ |
原裝正品現(xiàn)貨 |
10000 |
DO35 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
24+ |
DO35 |
10000 |
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
22+ |
DO35 |
10000 |
原裝正品,渠道現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
