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JANTXV2N3879P

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-213AA,TO-66-2 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3879

HIGHSPEEDEPITAXIALCOLLECTORSILICONNPNPLANARTRANSISTORS

High-SpeedEpitaxial-CollectorSiliconN-P-NPlanarTransistors ForHigh-SpeedSwitchingandLinear-AmplifierApplications

GESS

GE Solid State

2N3879

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/526

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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SiliconNPNPowerTransistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

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SiliconNPNPowerTransistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2N3879

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3879

SILICONN-P-NPLANARTRANSISTOR

SiliconN-P-NPlanarTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N3879SMD

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealed

SEME-LAB

Seme LAB

JAN2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTX2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/526

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTXV2N3879

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/526

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JANTXV2N3879P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/526

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 400mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    25mA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多JANTXV2N3879P供應商 更新時間2024-12-23 17:02:00