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JANTXV2N5660分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
JANTXV2N5660 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV2N5660 封裝/外殼為TO-213AA，TO-66-2；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 200V 2A TO66 |
| 功能描述 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 文件大小 |
63.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 10:33:00 |
JANTXV2N5660規(guī)格書詳情
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/454
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
JANTXV2N5660
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/454
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
800mV @ 400mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
200nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，5V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-213AA，TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
TRANS NPN 200V 2A TO66
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NES |
21+ |
CAN-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-213AA TO-66-2 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
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詢價(jià) | ||||
PPC |
22+ |
TO-5 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-213AA,TO-66-2 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
22+ |
NA |
909 |
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詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
70000 |
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詢價(jià) | |||
MICROSEMI |
1630+ |
SMD |
1485 |
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詢價(jià) | ||
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23+ |
15422 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價(jià) |
