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JANTXV2N6352分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
JANTXV2N6352 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV2N6352 封裝/外殼為TO-213AA，TO-66-2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 80V 5A TO66 |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 文件大小 |
55.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 23:00:00 |
JANTXV2N6352規(guī)格書詳情
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/472
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JANTXV2N6352
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/472
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 5mA，5A
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 5A，5V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-213AA，TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 5A TO66
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MROSEMI/美高森美 |
23+ |
NA/ |
76 |
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MICROSEMI |
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Microchip Technology |
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TO-213AA,TO-66-2 |
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MOT |
24+ |
TO-66 |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
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