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K10N60中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

K10N60
廠商型號(hào)

K10N60

功能描述

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

文件大小

438.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 18:30:00

K10N60規(guī)格書(shū)詳情

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

● 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses

● Short circuit withstand time – 10 μs

● Designed for:

?? - Motor controls

?? - Inverter

● NPT-Technology for 600V applications offers:

?? - very tight parameter distribution

?? - high ruggedness, temperature stable behaviour

?? - parallel switching capability

● Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

● Pb-free lead plating; RoHS compliant

● Qualified according to JEDEC1 for target applications

● Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

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