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K10R60

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGC10R60D

Integrated3PhaseGateDriverChipproduct

1.1Features ?Thin-film-SOI-technology ?Insensitivityofthebridgeoutputtonegativetransientvoltagesupto-50V givenbySOI-technology ?Maximumblockingvoltage+600V ?Powersupplyofthehighsidedriversviabootstrap ?Integratedbootstrapfunctionality ?Separatecontrolcirc

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGC10R60DE

TRENCHSTOPTMReverseConducting(RC)technology

IGBTchipwithmonolithicallyintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage Features: TRENCHSTOPTMReverseConducting(RC)technologyfor 600Vapplicationsoffering: ?OptimisedVCEsatandVFforlowconductionlosses ?SmoothswitchingperformanceleadingtolowEMIlevels ?

InfineonInfineon Technologies AG

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更多K10R60供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 15:00:00

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