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K4B1G1646D

1GbD-dieDDR3SDRAMSpecification

The1GbDDR3SDRAMD-dieisorganizedasa32Mbitx4I/Osx8banks,16Mbitx8I/Osx8banksor8Mbitx16I/Osx8banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto1600Mb/sec/pin(DDR3-1600)forgeneralapplications.

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646E

ConsumerMemory

SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646E

DDR3SDRAMMemory

DDR3SDRAMSpecification DDR3SDRAMMemory

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646G-BC

PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage

Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646G-BY

PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage

Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

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更多K4B1G1646G-BCKD供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 11:09:00

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