亚洲国产AV综合专区一区二区 ,2020年国产理论

<abbr id="eu2kw"></abbr>

<nav id="eu2kw"></nav>

<dl id="eu2kw"><delect id="eu2kw"></delect></dl>

首頁(yè) >K4E641612C-T>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
K4E641612C-T	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-T45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-T50	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-T60	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TC	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TC45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TC50	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TC60	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TL45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TL50	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4E641612C-TL60	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
K4E641612C-T
制造商：
SAMSUNG
制造商全稱(chēng)：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	15+		11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	TSOP50	0202+	667	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)
深圳市凱斯宇科技有限公司	K4E641612C-TC80	SAMSUNG	2022	TSOP	5280	原廠原裝正品,價(jià)格超越代理	詢(xún)價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	K4E641612C-TL50	SAMSUNG	22+	TSOP	3200	絕對(duì)原裝自家現(xiàn)貨!真實(shí)庫(kù)存!歡迎來(lái)電!	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	K4E641612C-TL60	samsung	23+	TSSOP	1124	全新原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSUNG	23+	TSOP	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
上海專(zhuān)毅電子科技有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	17+	TSOP50	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSANG	19+	TSOP	256800	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢(xún)價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSUNG/三星	1824+	TSOP	3230	原裝現(xiàn)貨專(zhuān)業(yè)代理,可以代拷程序	詢(xún)價(jià)
深圳市近平電子有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSUNG	6000	面議	19	TSOP	詢(xún)價(jià)

更多K4E641612C-T供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 11:04:00

客戶(hù)服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號(hào)