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K4H511638C-TLA2中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

K4H511638C-TLA2
廠商型號

K4H511638C-TLA2

功能描述

128Mb DDR SDRAM

文件大小

669.27 Kbytes

頁面數(shù)量

53

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 22:30:00

K4H511638C-TLA2規(guī)格書詳情

Features

? Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

? Bidirectional data strobe(DQS)

? Four banks operation

? Differential clock inputs(CK and CK)

? DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

? MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

? All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

? Data I/O transactions on both edges of data strobe

? Edge aligned data output, center aligned data input

? LDM,UDM/DM for write masking only

? Auto & Self refresh

? 15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)

? Maximum burst refresh cycle : 8

? 66pin TSOP II package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    K4H511638C-TLA2

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    128Mb DDR SDRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SAMSUNG
2020+
TSSOP
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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