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K4S56163PF-RGSLASHF90

4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

GENERALDESCRIPTION TheK4S56163PFis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNG’shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockandI/Otransactions

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

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更多K4S56163PF-RGSLASHF90供應商 更新時間2025-5-29 11:09:00

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