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K7P161866A-HC30中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

K7P161866A-HC30
廠商型號

K7P161866A-HC30

功能描述

512Kx36 AND 1Mx18 Synchronous Pipelined SRAM

文件大小

321.89 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-23 15:00:00

K7P161866A-HC30規(guī)格書詳情

FEATURES

? 512Kx36 or 1Mx18 Organizations.

? 2.5V Core/1.5V Output Power Supply (1.9V max VDDQ).

? HSTL Input and Output Levels.

? Differential, HSTL Clock Inputs K, K.

? Synchronous Read and Write Operation

? Registered Input and Registered Output

? Internal Pipeline Latches to Support Late Write.

? Byte Write Capability(four byte write selects, one for each 9bits)

? Synchronous or Asynchronous Output Enable.

? Power Down Mode via ZZ Signal.

? Programmable Impedance Output Drivers.

? JTAG 1149.1 Compatible Test Access port.

? 119(7x17)Pin Ball Grid Array Package(14mmx22mm).

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    K7P161866A-HC30

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    512Kx36 AND 1Mx18 Synchronous Pipelined SRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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