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KDB5690中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KDB5690
廠商型號

KDB5690

功能描述

N-Channel PowerTrenchTMMOSFET

文件大小

58.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

KEXIN科信電子

中文名稱

廣東科信實業(yè)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-2 11:10:00

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KDB5690規(guī)格書詳情

Features

● 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 Ω @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 0.032 Ω @ VGS = 6 V

● Critical DC electrical parameters specified at

elevated temperature.

● Rugged internal source-drain diode can eliminate the

need for an external Zener diode transient suppressor.

● High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

● 175°C maximum junction temperature rating.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    KDB5690

  • 制造商:

    KEXIN

  • 制造商全稱:

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述:

    N-Channel PowerTrenchTMMOSFET

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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