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KF3N60P	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N60P	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N60P/F	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N60PF	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N60P_15	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KSM3N60	文件：676.15 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM3N60C	文件：1.66685 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60	文件：712.23 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60C	文件：2.01698 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF3N60	文件：1.10056 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB3N60E	文件：146.91 Kbytes Page：4 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB3N60E	文件：74.47 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES600VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTN3N60BFP	文件：461.2 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN3N60FP	文件：281.28 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP3N60	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP3N60	文件：301.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP3N60	文件：145.58 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
KF3N60P
制造商：
KEC
制造商全稱：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	KF3N60貼片二極管	KEC	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	KF3N80D	K	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KF3N80D	K	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KF3N80D	KEC	23+	DPAK(1)	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KF3N80D	K	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KF3N80D	K	22+	TO-252	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KF3N80D	K	24+	TO-252	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市百諾芯科技有限公司	KF3N80D-RTF/HS	KEC	23+	NA	2860	原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	KF3N80F	KEC	22+	TO-220F	20000	深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	KF3N80F	KEC	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價

更多KF3N60P供應(yīng)商更新時間2025-1-10 11:00:00

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