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KGF50N60KDA	文件：1.55858 Mbytes Page：8 Pages	KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGF50N60KDA_15	文件：1.55981 Mbytes Page：8 Pages	High speed switching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT50N60KDA	文件：576.12 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTG50N60FLWG	文件：170.49 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司	PJSEMI
RM50N60DF	文件：228.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60DFV	文件：1.51858 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60IP	文件：484.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LD	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60LDV	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60TI	文件：424.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures Vds=60Vo=50A Rds(on)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SGL50N60	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGL50N60RUF	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：623.54 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
KGF50N60KDA
制造商：
KEC
制造商全稱：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness.

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多KGF50N60KDA供應商更新時間2024-10-26 10:20:00

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