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KHB4D0N80F2

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

KHB4D0N80F2

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=4A ?Drain-So

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

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更多KHB4D0N80F2-U/P供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 15:00:00

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