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KIA18N50HF_KIA/可易亞半導體_商品目錄 MOS(場效應管) 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時） 18A(Tc) 漏源電壓（Vdss） 500V 柵源極閾值電壓 5V @ 250uA 漏源導通電阻 320 mΩ @ 9A,10V 類型 N 溝道 最大功率耗散（Ta） 38.5W(Tc)艾睿國際

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  • 廠家型號：

    KIA18N50HF

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    KIA 半導體

  • 庫存數(shù)量：

    105000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220F(TO-220IS)

  • 生產(chǎn)批號：

    2112+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-11 15:00:00

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原廠料號：KIA18N50HF品牌：KIA 半導體

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  • 芯片型號：

    KIA18N50HF

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    KIA【可易亞半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    KIA Semiconductor Technology

  • 中文名稱：

    廣東可易亞半導體科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    154.149 kb

  • 資料說明：

    商品目錄 MOS(場效應管) 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時） 18A(Tc) 漏源電壓（Vdss） 500V 柵源極閾值電壓 5V @ 250uA 漏源導通電阻 320 mΩ @ 9A,10V 類型 N 溝道 最大功率耗散（Ta） 38.5W(Tc)

供應商

  • 企業(yè)：

    艾睿國際（香港）有限公司

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  • 聯(lián)系人：

    蔡小姐

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