KIA8N60HF_KIA/可易亞半導(dǎo)體_商品目錄 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)） 7.5A(Tc) 漏源電壓（Vdss） 600V 柵源極閾值電壓 4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻 1.2 Ω @ 3.75A,10V 類(lèi)型 N 溝道 最大功率耗散（Ta） 48W(Tc)易創(chuàng)佳業(yè)科技

原廠料號(hào)：KIA8N60HF品牌：KIA半導(dǎo)體

原裝正品，支持實(shí)單

• 芯片型號(hào)：

  KIA8N60HF

• 規(guī)格書(shū)：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  KIA【可易亞半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  KIA Semiconductor Technology

• 中文名稱(chēng)：

  廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  6 頁(yè)

• 文件大小：

  192.03 kb

• 資料說(shuō)明：

  商品目錄 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)） 7.5A(Tc) 漏源電壓（Vdss） 600V 柵源極閾值電壓 4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻 1.2 Ω @ 3.75A,10V 類(lèi)型 N 溝道 最大功率耗散（Ta） 48W(Tc)