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KM48L16031BT-GFZ/Y/0中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KM48L16031BT-GFZ/Y/0
廠商型號

KM48L16031BT-GFZ/Y/0

功能描述

DDR SDRAM Specification Version 0.61

文件大小

750.45 Kbytes

頁面數(shù)量

49

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-20 20:00:00

KM48L16031BT-GFZ/Y/0規(guī)格書詳情

Key Features

Features

? Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

? Bidirectional data strobe(DQS)

? Four banks operation

? Differential clock inputs(CK and CK)

? DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

? MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

? All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

? Data I/O transactions on both edges of data strobe

? Edge aligned data output, center aligned data input

? LDM,UDM/DM for write masking only

? Auto & Self refresh

? 15.6us refresh interval

? Maximum burst refresh cycle : 8

? 66pin TSOP II package

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