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KPC8150ETLD	文件：287.04 Kbytes Page：11 Pages	4PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
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L8150	文件：732.66 Kbytes Page：37 Pages	Brushlessmotorpredriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L8150	文件：30.69 Kbytes Page：1 Pages	Diagonalcuttersoval	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
MA8150	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features ?Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) ?Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) ?Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
MA8150-M	文件：67.15 Kbytes Page：11 Pages	VerticalDriverLSIforVideoCameraCCDAreaImageSensor Overview TheMN3111HisaverticaldriverLSIforatwo-dimensionalinterlineCCDimagesensor.Itfeaturesabuilt-inpowersupplycircuitthat,inconjunctionwithsuchexternalcomponentsasfourboostercapacitors,sixvoltagestabilizationcapacitors,eightSchottkybarrierdiodes,andtwoZ	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
MAZ8150	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features ?Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) ?Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) ?Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
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MAZ8150-M	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features ?Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) ?Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) ?Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
MBR8150	文件：84.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowpowerloss,highefficiency. ?Lowforwrdvol	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
MBR8150	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A ReverseVoltage40to200V ForwardCurrent8.0A Features ?LowPowerLoss，HighEfficiency ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
MBR8150	文件：116.51 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
MBR8150	文件：174.08 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●ClassificationRating94V-O ●PlasticCaseMaterialhasULFlammability ●GuardRingDieConstruction ●ForUseinLowVoltageApplication ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●SchottkyBarrierChip	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MBR8150	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
MBR8150	文件：225.81 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·SchottkyBarrierChip ·GuardRingDieConstructionforTransientProtection ·LowPowerLoss/HighEfficiency ·HighSurgeCapability ·HighCurrentCapability，LowForwardVoltageDrop ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperatio	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MBR8150	文件：1.41622 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三陽電子三陽電子有限公司	SAMYANG

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