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KSA642CGBU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
KSA642CGBU |
| 參數(shù)屬性 | KSA642CGBU 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 25V 0.3A TO92-3 |
| 功能描述 | Low Frequency Power Amplifier |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
39.23 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-7 20:19:00 |
KSA642CGBU規(guī)格書詳情
Low Frequency Power Amplifier
? Complement to KSD227
? Collector Power Dissipation : PC = 400mW
? Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
KSA642CGBU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 50mA，1V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
- 供應商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 25V 0.3A TO92-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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