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KSB1149分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

KSB1149
廠商型號(hào)

KSB1149
參數(shù)屬性

KSB1149 封裝/外殼為T(mén)O-225AA，TO-126-3；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 100V 3A TO126-3
功能描述

Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C
封裝外殼

TO-225AA，TO-126-3
文件大小

46.52 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 16:45:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    KSB1149

  • 別名：

    KSB1149三極管、KSB1149晶體管、KSB1149晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SB1149,

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-21

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

KSB1149規(guī)格書(shū)詳情

Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C

? High DC Current Gain

? High Power Dissipation : PC=1.3W (Ta=25°C)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    KSB1149OSTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 1.5mA，1.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    2000 @ 1.5A，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-126-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 3A TO126-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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