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KSB1366

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER ?ComplementtoKSD2012

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSB1366GTU

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSB1366GTU

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSB1366Y

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSB1366YTU

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KTB1366

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowCollectorSaturationVoltage ComplementarytoKTD2058

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

KTB1366

TRIPLEDIFFUSEDPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=-1.0V(Max.)atIC=-2A,IB=-0.2A. ?CollectorPowerDissipation :PC=25W(Tc=25?) ?ComplementarytoKTD2058.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KTB1366

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

KTB1366

SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,complementarytoKTD2058. Applications Generalpurposeamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

KTB1366

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ?CollectorPowerDissipation- :PC=25W@TC=25℃ ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)@(IC=-2A,IB=-0.2A) ?ComplementtoTypeKTD2058 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeap

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    KSB1366

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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更多KSB1366供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 15:30:00