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KSC1009分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

KSC1009
廠商型號

KSC1009

參數(shù)屬性

KSC1009 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3

功能描述

NPN (HIGH VOLTAGE AMPLIFIER)

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

70.63 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-15 18:19:00

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晶體管資料

  • 型號:

    KSC1009

  • 別名:

    KSC1009三極管、KSC1009晶體管、KSC1009晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_寬頻帶放大 (A)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    0.7A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-31

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.7

  • wtest:

    0

KSC1009規(guī)格書詳情

HIGH VOLTAGE AMPLIFIER

? High Collector-Base Voltage VCBO=160V

? Collector Current IC=700mA

? Collector Power Dissipation PC=800mW

? Complement to KSA709

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KSC1009CYTA

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 20mA,200mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 50mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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