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KSD1692分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

KSD1692
廠商型號

KSD1692
參數(shù)屬性

KSD1692 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3
功能描述

NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C)
封裝外殼

TO-225AA，TO-126-3
文件大小

263.79 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung【三星】

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 18:36:00
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晶體管資料

  • 型號：

    KSD1692

  • 別名：

    KSD1692三極管、KSD1692晶體管、KSD1692晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SD1692,

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

KSD1692規(guī)格書詳情

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

HIGH DC CURRENT GAIN

LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE

BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C

HIGH POWER DISSIPATION : PT = 1.3 W (Ta=25°C)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    KSD1692YS

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 1.5mA，1.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    4000 @ 1.5A，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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