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KSD227GBU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

KSD227GBU
廠商型號

KSD227GBU

參數(shù)屬性

KSD227GBU 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3

功能描述

Low Frequency Power Amplifier

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

45.49 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-20 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KSD227GBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 30mA,300mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 50mA,1V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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