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KSH200-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多KSH200-251供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-9 14:50:00